- Código RS:
- 796-1375
- Referência do fabricante:
- NGTG30N60FWG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 796-1375
- Referência do fabricante:
- NGTG30N60FWG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
Discretos IGBT, ON Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Disipación de Potencia Máxima | 167 W |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Velocidad de Conmutación | 1MHZ |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 16.25 x 5.3 x 21.4mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |