Módulo IGBT, MG06400D-BN4MM, N-Canal, 460 A, 600 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie

Pérdida ultra baja
Dureza alta
Capacidad de cortocircuito alta
Coeficiente de temperatura positivo
Aplicaciones en variadores de motor, inversor, convertidor CC/CC, SMPS y UPS

Módulos y discretos IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.