IGBT, STGW80H65DFB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 792-5814
- Referência do fabricante:
- STGW80H65DFB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Adicionado
Preço unitário
6,62 €
| Unidades | Por unidade |
| 1 - 4 | 6,62 € |
| 5 - 9 | 6,29 € |
| 10 - 24 | 5,66 € |
| 25 - 49 | 5,09 € |
| 50 + | 4,85 € |
- Código RS:
- 792-5814
- Referência do fabricante:
- STGW80H65DFB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 120 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 469 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |