IGBT, FGW40N120HD, N-Canal, 40 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines

  • Código RS 772-9032
  • Referência do fabricante FGW40N120HD
  • Fabricante Fuji Electric
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem): JP
Detalhes do produto

Discretos IGBT, Fuji Electric

IGBT discretos y módulos, Fuji Electric

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificações
Atributo Valor
Corriente Máxima Continua del Colector 40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
Disipación de Potencia Máxima 340 W
Tipo de Encapsulado TO-247
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal N
Conteo de Pines 3
Configuración de transistor Simple
Longitud 15.9mm
Ancho 5.03mm
Altura 20.95mm
Dimensiones 15.9 x 5.03 x 20.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
35 Disponível para entrega em 24/48 horas.
Preço unitário
11,42
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
1 +
11,42 €
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