IGBT, IRG4PH50KDPBF, N-Canal, 45 A, 1.200 V, TO-247AC, 3-Pines Simple

Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de Infineon proporcionan al usuario una amplia gama de opciones para garantizar que sus aplicaciones están cubiertas. Las calificaciones de alta eficiencia hacen que esta gama de IGBT pueda usarse en una amplia variedad de aplicaciones y admitir varias frecuencias de conmutación gracias a las bajas pérdidas de conmutación.

IGBT empaquetado conjuntamente con diodo de recuperación ultrarrápido en antiparalelo para utilizar en configuraciones en puente

Transistores IGBT, International Rectifier

International Rectifier ofrece una amplia gama de soluciones IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) desde 300 a 1200 V, basadas en diferentes tecnologías que minimizan las pérdidas por conmutación y conducción para aumentar la eficiencia, reducir problemas térmicos y mejorar la densidad de potencia. La compañía también ofrece una amplia gama de matrices IGBT diseñadas específicamente para módulos de potencia de media a alta. Para los módulos que exigen la máxima fiabilidad, las matrices de frontal de metal soldable (SFM) se pueden emplear para eliminar los cables de unión y permitir una refrigeración de doble cara para mejorar el rendimiento térmico, la fiabilidad y la eficacia.