Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
- Código RS:
- 245-6991
- Referência do fabricante:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
Temporariamente fora de stock. Disponível a 29/10/2025, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
Adicionado
Preço unitário
84,82 €
| Unidades | Por unidade |
| 1 - 1 | 84,82 € |
| 2 - 3 | 83,03 € |
| 4 - 7 | 81,34 € |
| 8 - 11 | 79,56 € |
| 12 + | 77,78 € |
- Código RS:
- 245-6991
- Referência do fabricante:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de dos canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 80 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 20 A chapado en níquel
El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
MOSFET de SiC de 1200 V y 80 m.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Número de transistores | 2 |
| Disipación de Potencia Máxima | 69 W |
| Tipo de Encapsulado | Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) |
- Código RS:
- 245-6991
- Referência do fabricante:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi