Módulo IGBT, NXH40B120MNQ1SNG, IMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo) 3
- Código RS:
- 245-6984
- Referência do fabricante:
- NXH40B120MNQ1SNG
- Fabricante:
- onsemi
21 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário
152,40 €
| Unidades | Por unidade |
| 1 + | 152,40 € |
- Código RS:
- 245-6984
- Referência do fabricante:
- NXH40B120MNQ1SNG
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de tres canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 40 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 40 A chapado en níquel
EL ON Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG es un módulo de alimentación que contiene una etapa de impulso de tres canales. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
Medio puente MOSFET de SiC de 40 m/1200 V.
Termistor
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Presione los pasadores de ajuste
Estos dispositivos no contienen plomo, haluros y son conformes con RoHS
Termistor
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Presione los pasadores de ajuste
Estos dispositivos no contienen plomo, haluros y son conformes con RoHS
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Número de transistores | 3 |
| Disipación de Potencia Máxima | 156 W |
| Tipo de Encapsulado | IMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo) |
- Código RS:
- 245-6984
- Referência do fabricante:
- NXH40B120MNQ1SNG
- Fabricante:
- onsemi