- Código RS:
- 180-7319
- Referência do fabricante:
- SI7489DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
3000 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Fornecido em carretes de 3000)
1,095 €
Unidades | Por unidade | Por Carreto* |
3000 + | 1,095 € | 3 285,00 € |
*preço indicativo |
- Código RS:
- 180-7319
- Referência do fabricante:
- SI7489DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
MOSFET Vishay
El MOSFET SO-8 de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 41mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 83W mW y una corriente de drenaje continua de 28A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
Libre de halógenos
Nuevo encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica con perfil bajo de 1,07mm mm
La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
PWM optimizado
MOSFET de potencia TrenchFET
Nuevo encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica con perfil bajo de 1,07mm mm
La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
PWM optimizado
MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
accionamientos de motor de medio puente
Convertidores reductores no síncronos de alta tensión
Interruptores de carga
Convertidores reductores no síncronos de alta tensión
Interruptores de carga
Certificaciones
ANSI/ESD S20,20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
IEC 61249-2-21
BS EN 61340-5-1:2007
IEC 61249-2-21