- Código RS:
- 145-8726
- Referência do fabricante:
- IKW40N60H3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporariamente fora de stock. Disponível a 20/06/2025, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
Adicionado
Preço unitário (Em Tubo de 30)
3,851 €
Unidades | Por unidade | Por Tubo* |
30 - 30 | 3,851 € | 115,53 € |
60 - 120 | 3,659 € | 109,77 € |
150 + | 3,505 € | 105,15 € |
*preço indicativo |
- Código RS:
- 145-8726
- Referência do fabricante:
- IKW40N60H3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Disipación de Potencia Máxima | 306 W |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Energía nominal | 2.12mJ |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Capacitancia de puerta | 2190pF |