IGBT, HGTG20N60A4, N-Canal, 70 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple

Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
Detalhes do produto

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor

IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificações
Atributo Valor
Corriente Máxima Continua del Colector 70 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
Tipo de Encapsulado TO-247
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal N
Conteo de Pines 3
Configuración de transistor Simple
Dimensiones 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
780 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Em Tubo de 30)
3,088
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Tubo*
30 - 30
3,088 €
92,64 €
60 - 120
2,996 €
89,88 €
150 - 270
2,903 €
87,09 €
300 +
2,78 €
83,40 €
*preço indicativo