IGBT, NGTG30N60FWG, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple

Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem): CN
Detalhes do produto

Discretos IGBT, ON Semiconductor

Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.

Discretos IGBT, ON Semiconductor

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificações
Atributo Valor
Corriente Máxima Continua del Colector 60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
Disipación de Potencia Máxima 167 W
Tipo de Encapsulado TO-247
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal N
Conteo de Pines 3
Velocidad de Conmutación 1MHZ
Configuración de transistor Simple
Dimensiones 16.25 x 5.3 x 21.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Produto Descatalogado