Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. La ausencia de corriente de recuperación inversa, las características de conmutación independientes de la temperatura y el excelente rendimiento térmico convierten el carburo de silicio en la próxima generación de semiconductores de potencia.

Capacidad para altas sobrecorrientes
Coeficiente de temperatura positivo
Facilidad de conexión en paralelo