Módulos IGBT

Un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) consta de uno o más IGBT y se utiliza en muchos tipos de equipos industriales gracias a su fiabilidad. Los transistores IGBT son un cruce entre transistores de empalme bipolar (BJT) y MOSFET. Son muy eficientes y de conmutación rápida; además, tienen características de alta corriente y baja tensión de saturación.

Los transistores IGBT son dispositivos semiconductores de tres terminales que se utilizan como elemento de conmutación en convertidores de potencia y variadores de velocidad para parar o permitir el flujo de alimentación. Los transistores IGBT se controlan mediante una estructura de puerta semiconductora de óxido metálico.

Los módulos IGBT se utilizan habitualmente para conmutar la energía eléctrica en aplicaciones como inversores, soldaduras, motores, acondicionadores de potencia, trenes y fuentes de alimentación ininterrumpida.

Un módulo IGBT de alta velocidad es un producto adecuado para aplicaciones con frecuencias de conmutación entre 20k y 50 kHz, como fuentes de alimentación para equipos médicos, máquinas de soldadura y calentamiento por inducción. Incluyen un módulo Boost Chopper y un módulo de medio puente.

Los módulos IGBT tienen diferentes configuraciones como doble, 3 niveles, impulsor, emisor común, interruptor único, seis paquetes, chopper, PIM, rectificador de entrada trifásica PIM, doce paquetes, cuatro paquetes y diodo.

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