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Semiconductores Discretos

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Descrição
Detalhes do produto
  • 1,686 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TJ60S04M3L, VDSS 40 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje60 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,104 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
MOSFET Toshiba SSM6K403TU, VDSS 20 V, ID 4,2 A, UF6 de 6 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje4,2 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente20 V
  • Tipo de EncapsuladoUF6
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,63 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET Toshiba TPCA8052-H, VDSS 40 V, ID 20 A, SOP avanzado de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • SerieTPC
  • Tipo de EncapsuladoSOP avanzado
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,046 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 100)
MOSFET Toshiba SSM3K339R,LF(T, VDSS 40 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje2 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,857 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET Toshiba TPHR8504PL, VDSS 40 V, ID 340 A, SOP de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje340 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoSOP
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 4,143 €
    unitário (Em Tubo de 25)
IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector50 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima230 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte produtos similares em IGBT
  • 0,213 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
Transistor MOSFET Toshiba TPC6108(TE85L,F), VDSS 30 V, ID 4.5 A, VS de 6 pines
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje4.5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • SerieU-MOSⅣ
  • Tipo de EncapsuladoVS
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  • Código RS
    415-336
  • Fabricante
    Toshiba
  • Referência do fabricante
    TPC6108(TE85L,F)
  • 1,03 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TPCA8052-H, VDSS 40 V, ID 20 A, SOP avanzado de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • SerieTPC
  • Tipo de EncapsuladoSOP avanzado
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  • 1,253 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 6)
MOSFET Toshiba TK46A08N1,S4X(S, VDSS 80 V, ID 46 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje46 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente80 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
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  • 2,855 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
MOSFET Toshiba TPWR8503NL, VDSS 30 V, ID 300 A, DSOP de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje300 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoDSOP
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,368 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET Toshiba TPN14006NH,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 65 A, TSON de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje65 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 1,038 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TPN3R704PL, VDSS 40 V, ID 92 A, TSON de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje92 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoTSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,484 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TK58E06N1, VDSS 60 V, ID 105 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje105 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
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  • 0,887 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK40E10N1,S1X(S, VDSS 100 V, ID 90 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje90 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
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  • 0,578 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
MOSFET Toshiba TJ15P04M3, VDSS 40 V, ID 15 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje15 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,868 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET Toshiba TPHR8504PL,L1Q(M, VDSS 40 V, ID 150 A, SOP de 8 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje150 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • SerieTPHR8504PL
  • Tipo de EncapsuladoSOP
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  • 0,815 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
MOSFET Toshiba TK30A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 30 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
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  • 2,81 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 4)
MOSFET Toshiba TK100A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
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  • 0,043 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Diodo de conmutación, CUS08F30,H3F(T, 5A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoUSC
  • Corriente Continua Máxima Directa5A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico30V
  • Tipo de RectificadorDiodo Schottky
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  • 2,63 €unitário
IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector20 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima45 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
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