Renesas Electronics

Semiconductores Discretos

CATEGORIAS

Semiconductores Discretos
(14) MOSFET
(1) Pares Darlington
(5) Transistores Bipolares
(2) TRIACs
A ver 1 - 20 de 22 produtos
Comparar selecionados 0/8
Ver como:
Preço
(I.V.A. não incluído)
Descrição
Detalhes do produto
Transistor, HFA3096BZ, NPN/PNP 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines
  • 12,21 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, HFA3096BZ, NPN/PNP 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines
  • Tipo de TransistorNPN/PNP
  • Corriente DC Máxima del Colector65 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor8 V
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
MOSFET Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY, VDSS 60 V, ID 100 A
  • 4,815 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY, VDSS 60 V, ID 100 A
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Renesas Electronics 2SK1835-E, VDSS 1500 V, ID 4 A, TO-3PN de 3 pines
  • 6,657 €
    unitário (Em Tubo de 30)
MOSFET Renesas Electronics 2SK1835-E, VDSS 1500 V, ID 4 A, TO-3PN de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje4 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1500 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 40 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines
  • 2,122 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 40 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje40 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK, SOT-669
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 40 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines
  • 1,55 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
MOSFET Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 40 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje40 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK, SOT-669
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 25 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines
  • 1,308 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 25 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje25 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK, SOT-669
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 25 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines
  • 0,959 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
MOSFET Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 25 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje25 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK, SOT-669
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor, HFA3127BZ, NPN 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz, Aislado
  • 11,767 €
    unitário (Em Tubo de 48)
Transistor, HFA3127BZ, NPN 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz, Aislado
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector65 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor8 V
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
MOSFET Renesas Electronics RJK0391DPA-00#J5A, VDSS 30 V, ID 50 A, WPAK de 8 pines
  • 1,081 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
MOSFET Renesas Electronics RJK0391DPA-00#J5A, VDSS 30 V, ID 50 A, WPAK de 8 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje50 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • SerieBEAM
  • Tipo de EncapsuladoWPAK
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor, HFA3096BZ, NPN/PNP 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines
  • 9,83 €
    unitário (Em Tubo de 48)
Transistor, HFA3096BZ, NPN/PNP 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines
  • Tipo de TransistorNPN/PNP
  • Corriente DC Máxima del Colector65 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor8 V
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
MOSFET Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY, VDSS 60 V, ID 100 A
  • 3,114 €
    unitário (Em Tubo de 800)
MOSFET Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY, VDSS 60 V, ID 100 A
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor MOSFET Renesas Electronics 2SK1317-E, VDSS 1.500 V, ID 7 A, SC-65 de 3 pines
  • 6,07 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor MOSFET Renesas Electronics 2SK1317-E, VDSS 1.500 V, ID 7 A, SC-65 de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje7 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1.500 V
  • Tipo de EncapsuladoSC-65
  • Conteo de Pines3
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor, HFA3127BZ, NPN 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz, Aislado
  • 13,35 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, HFA3127BZ, NPN 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz, Aislado
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector65 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor8 V
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
MOSFET Renesas Electronics RJK0391DPA-00#J5A, VDSS 30 V, ID 50 A, WPAK de 8 pines
  • 1,476 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Renesas Electronics RJK0391DPA-00#J5A, VDSS 30 V, ID 50 A, WPAK de 8 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje50 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • SerieBEAM
  • Tipo de EncapsuladoWPAK
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor MOSFET Renesas Electronics 2SK1317-E, VDSS 1.500 V, ID 7 A, SC-65 de 3 pines
  • 4,428 €
    unitário (Em Tubo de 30)
Transistor MOSFET Renesas Electronics 2SK1317-E, VDSS 1.500 V, ID 7 A, SC-65 de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje7 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1.500 V
  • Tipo de EncapsuladoSC-65
  • Conteo de Pines3
Consulte produtos similares em MOSFET
TRIAC, BCR20RM-30LA#B00, TO-3PFM, 3-Pines
  • 5,324 €
    unitário (Em Tubo de 30)
TRIAC, BCR20RM-30LA#B00, TO-3PFM, 3-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal20A
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PFM
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva1500V
  • Conteo de Pines3
Consulte produtos similares em TRIACs
TRIAC, BCR20RM-30LA#B00, TO-3PFM, 3-Pines
  • 9,95 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
  • Também disponível no formato de produção industrial
TRIAC, BCR20RM-30LA#B00, TO-3PFM, 3-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal20A
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PFM
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva1500V
  • Conteo de Pines3
Consulte produtos similares em TRIACs
MOSFET Renesas Electronics ISL6144IRZA, VDSS 12 V, ID 8 A, QFN
  • 4,671 €
    unitário (Em Tubo de 60)
MOSFET Renesas Electronics ISL6144IRZA, VDSS 12 V, ID 8 A, QFN
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje8 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente12 V
  • Tipo de EncapsuladoQFN
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Renesas Electronics 2SK1835-E, VDSS 1500 V, ID 4 A, TO-3PN de 3 pines
  • 8,70 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Renesas Electronics 2SK1835-E, VDSS 1500 V, ID 4 A, TO-3PN de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje4 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1500 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor, HFA3101BZ, NPN 30 mA 8 V Hex SOIC, 8 pines, 10000 MHz, Complejo
  • 11,19 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, HFA3101BZ, NPN 30 mA 8 V Hex SOIC, 8 pines, 10000 MHz, Complejo
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector30 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor8 V
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Pesquisas feitas
Perguntas frequentes
Necessita de ajuda para utilizar a página web?
Contacte-nos através do telefone:
800 102 037 (opção 1)
Serviços
Sobre a RS
Assuntos de interesse
Contacte-nos
800 102 037
© Amidata S.A.U.
Avenida de Bruselas, 6, 28108 - Alcobendas - Madrid - Espanha
Payment options