- Código RS:
- 760-3126
- Referência do fabricante:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
110 Disponível para entrega em 24/48 horas
210 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
0,366 €
Unidades | Por unidade | Por Pack* |
10 - 90 | 0,366 € | 3,66 € |
100 + | 0,228 € | 2,28 € |
*preço indicativo |
- Código RS:
- 760-3126
- Referência do fabricante:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 1.2 to 3.0mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 10 V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V |
Tensión Máxima Puerta-Drenador | -50V |
Configuración | Único |
Configuración de transistor | Simple |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Encapsulado | SOT-346 (SC-59) |
Conteo de Pines | 3 |
Dimensiones | 2.9 x 1.5 x 1.1mm |
Ancho | 1.5mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Longitud | 2.9mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +125 °C |
Altura | 1.1mm |
- Código RS:
- 760-3126
- Referência do fabricante:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba