IGBT, SGW30N60FKSA1, N-Canal, 41 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 911-4767
- Referência do fabricante:
- SGW30N60FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 911-4767
- Referência do fabricante:
- SGW30N60FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Transistores IGBT discretos Infineon
Los transistores IGBT discretos de Infineon ofrecen diversas tecnologías como NPT, Trenchstop™ y Fieldstop. Se pueden utilizar en muchas aplicaciones que pueden requerir conmutación dura o blanda incluidas aplicaciones industriales, SAI, inversores, electrodomésticos y cocinas de inducción. Algunos dispositivos incluyen un diodo antiparalelo o un diodo de integración monolítica.
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 41 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 15.9 x 5.3 x 20.95mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 911-4767
- Referência do fabricante:
- SGW30N60FKSA1
- Fabricante:
- Infineon