- Código RS:
- 146-1725
- Referência do fabricante:
- FGW40N120HD
- Fabricante:
- Fuji Electric
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 146-1725
- Referência do fabricante:
- FGW40N120HD
- Fabricante:
- Fuji Electric
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- JP
Detalhes do produto
Discretos IGBT, Fuji Electric
IGBT discretos y módulos, Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Disipación de Potencia Máxima | 340 W |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 15.9 x 5.03 x 20.95mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |